晶圆芯片级封装(WCSP去掉了许多保守的封装方法，例如：裸片焊接、引线接合以及芯片级倒装片(flipchip连接工艺等。这种方法使半导体客户加速了产品上市进程。WCSP应用正扩展到一些新领域，并逐渐呈现基于引脚数量和器件类型的细分市场。集成无源分立RF和存储器件的WCSP应用也正扩展到逻辑IC和MEMS但是这种发展也带来了许多挑战，包括裸片尺寸和引脚数的增长对板级可靠性所产生的影响。本文将介绍我当前面临的诸多挑战，以及集成化和硅过孔(TSV技术等一些未来发展趋势。

WCSP过去十年获得了长足的发展，已成为主要尺寸封装之一。WCSP专业技术公司已经从一些小公司发展成为大型封装分包商，以及一些拥有150mm200mm和300mm制造能力（制造能力和赶超能力需求迅速增长）大型集成器件厂商。由于早期的一些用户集成了无源器件和分立器件，使应用空间也获得了相当大的增长。

由于WCSP已经发展幼稚，大型裸片和器件类型变得多样化。整个发展过程中，始终保存着一个关键属性：不使用倒装片底层填充(underfil情况下获得可靠性（限制裸片尺寸）

晶圆芯片级封装具有各种裸片尺寸、焊球间距和封装厚度，这些都是WCSP所有关键实现因素。

焊球间距始终主要为0.5mm而大批量生产时仍为0.4mm0.3mm凸焊能力已得到证明，但其采用受到装置外表贴装技术(SMT工具集功能、基板本钱以及倒装片底层填充潜在需求的阻碍。

资料组合以及对工艺条件的理解能力都已得到提高。这些反过来又支持更高的可靠性，以及敏感器件更低的固化温度，例如：存储器等。